SRAM的英文全称为Static Random Assess Memory，意为静态随记存储器。SRAM属于易失性存储器，
就是掉电之后，存储器中的内容便会丢失。
IS62WV51216芯片是 ISSI 芯成半导体公司的产品。容量为512K word，数据最小长度为16-Bits。芯片
一次数据读写的最短时间有45ns或55ns两种模式，工作电压2.5-3.6V。
芯片采用44脚TSOP封装。
CS1/ : 片选使能，低有效
OE/ : 输出使能，低有效
WE/ : 写使能， 低有效
A0 - A18：地址线
I/O 0 - I/O 15 ：数据线
UB/ LB/ : 高8位数据控制 低8位数据控制，低有效
Vdd ：电源正
GND : 电源地
与STM32F407ZGT6连接使用方法如下：
1 IS62WV51216芯片5脚地址线A0，连接F407的10脚，即FSMC_A0，依次连接到A15；
2 IS62WV51216芯片7脚数据线D0，连接F407的85脚，即FSMC_D0，依次连接到D15；
3 IS62WV51216芯片6脚片选线CS1/，连接F407的125脚FSMC_NE3；
4 IS62WV51216芯片41脚输出使能线OE/，连接F407的118脚FSMC_NE3FSMC_NOE；
5 IS62WV51216芯片17脚写使能线WE/，连接F407的119脚FSMC_NWE；
6 IS62WV51216芯片40脚高8位数据控制UB/ ，连接F407的142脚FSMC_NBL1；
7 IS62WV51216芯片39脚低8位数据控制LB/ ，连接F407的141脚FSMC_NBL0；
8 IS62WV51216芯片 Vdd接3.3V, GND 接地