光电二极管和 集成反馈电阻和电容的前置放大器
S8745-01和S8746-01是低噪声传感器，由硅光电二极管、运算放大器、反馈电阻和电容组成，全部集成在一个小封装中。通过简单地连接电源，S8745-01和S8746-01可用于分析设备和测量设备等微光测量。光电二极管的光敏区与GND端子内部连接，使其对电磁兼容噪声具有很高的抵抗力。
紫外-近红外精密测光用硅光电二极管
带石英窗的小金属包装
S8745-01：至-5
S8746-01:至-8
感光面积
S844.01×742毫米
S8746-01:5.8×5.8毫米
低功耗FET输入运算放大器
消散
内置Rf=1 GΩ和Cf=5 pF
外部连接电阻器的可变增益
低噪音和棉结
具有屏蔽效果的包装
抗电磁兼容噪声
分光光度法
通用光学测量
S8745-01和S8746-01的内置反馈电阻和电容分别为1gΩ和5pF。这种组合在190至1100 nm波长范围内提供了约0.1至0.5 V/nW的灵敏度。
电流-电压转换增益可以通过在S8745-01引脚4和6之间以及S8746-01引脚9和12之间连接外部反馈电阻器来改变[图5]。图2显示了S8745-01和S8746-01的频率响应特性，无论是否有外部连接的反馈电阻器。由于S8745-01和S8746-01有一个1GΩ的内置电阻器，例如，通过外部连接111 MΩ的电阻器，总反馈电阻将转换为100 MΩ。根据入射光的水平选择所需的常数检测到。注意：如果外部反馈电阻小于等于1 MΩ，则频率响应中可能出现增益峰值。因此，务必连接匹配的反馈电容器进行相位补偿。
输出噪声电压和NEP（噪声等效功率）特性允许您检查设备是否可以检测到您要测量的低电平光。由于NEP由右图所示的方程（1）给出，因此可以从图1和图4中很容易地计算出除λp以外波长的NEP。
注：当S8745-01和S8746-01仅与内部电流-电压增益一起使用时，建议将“-IN”导线（S8745-01的针脚6；S8746-01的针脚9）剪短，以减少外部噪音的影响
尽可能多。
S8745-01和S8746-01使用具有防护环效果的包装。为使其在测量期间有效，封装导线（S8745-01的针脚5；S8746-01的针脚5和11）应连接到地线。当反馈电阻器外部连接时，有必要在电路板上提供一个保护环或为引线提供一个聚四氟乙烯支架。
注：0.1至10μF的钽或陶瓷电容器必须连接到电源电压引线（S8745-01的引脚3和9；S8746-01的引脚1和4），作为旁路电容器，用于防止设备振荡。