电子制作站里二极管的基础知识讲的很详细，将相关二极管的资料整合一下，方便日后学习使用。
稳压二极管（zener diode），也称齐纳二极管
稳压二极管（zener diode），也称齐纳二极管，与普通二极管不同的是，稳压二极管工作在反向击穿状态时，它的工作电流在很大范围内变化而其两端的电压基本不变。
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1、稳压二极管典型直流稳压电路分析
稳压二极管主要用来构成直流稳压电路，这种直流稳压电路结构简单，稳压性能一般。下图所示是稳压二极管构成的典型直流稳压电路。电路中，VZ1是稳压二极管，R1是VZ1的限流保护电阻。
未经稳定的直流工作电压通过R1加到稳压二极管上，由于工作电压远大于VZ1稳压值，所以VZ1进入工作状态，其两端得到稳定的直流电压，作为稳压电路的输出电压。
当直流工作电压大小波动时，流过R1和VZ1的电流大小随之相应波动，由于稳压二极管VZ1稳压不变，这样直流电压大小波动的电压降在电阻R1上。
2、电子滤波器中的稳压二极管
下图所示是电子滤波器中的稳压二极管应用电路。电路中，VZ1是稳压二极管，VT1是电子滤波管，C1是VT1基极滤波电容，R1是VT1偏置电阻。
在稳压二极管导通后，VT1基极电压被稳定在13V，根据三极管发射结导通后的结电压基本不变特性可知，这时VT1发射极直流输出电压也是稳定的，达到稳定输出电压目的。
3、稳压二极管构成的浪涌保护电路
下图所示是稳压二极管构成的浪涌保护电路。电路中，K1是继电器，VZ1是稳压二极管，R1是限流保护电阻，RL是负载电阻。
当工作电压没有浪涌出现时，工作电压没有高到足以使稳压二极管VZ1导通的程度，这时VZ1截止，没有电流流过继电器K1，K1的触点保持导通状态，工作电压通过继电器触点为负载RL正常供电。
当工作电压出现浪涌时，由于电压升高，稳压二极管VZ1导通，这时有电流流过继电器K1，K1的触点断开，电压不能通过继电器触点为负载RL供电，达到保护负载RL的目的。
4、稳压二极管构成的过电压保护电路
下图所示是稳压二极管构成的过电压保护电路。电路中VZ1是稳压二极管，VT1是控制管，+115V是主工作电压。
电阻R1和R2构成115V直流工作电压的分压电路，分压后的电压通过稳压二极管VZ1加到VT1基极，当115V电压大小正常时，R1和R2分压后的电压不足以使稳压二极管导通，这时VT1基极电压为0，VT1截止，其集电极为高电平，此时待机保护电路不动作，电路正常工作。
当电压高于115V时，R1和R2分压后的电压足以使稳压二极管VZ1导通，这时VT1饱和导通，其集电极为低电平，通过待机控制线的控制使电路进入待机保护状态。
5、功率放大器中的过电压保护电路
下图所示是一种功率放大器中的过电压保护电路。电路中，VZ1和VZ2是保护二极管，是稳压比较高的稳压二极管。VT1和VT2是功率放大器中的两只输出管。
1）、直流工作电压正常时：稳压二极管VZ1和VZ2不导通，相当于开路，对功率放大器正常工作无影响。
2）保护时电路分析：直流电压异常升高，稳压二极管VZ1、VZ2便击穿，钳住VT1和VT2管集电极与发射极之间直流工作电压，使VT1和VT2管集电极与发射极之间直流工作电压不会进一步增大，以达到保护功放输出管的目的。
6、稳压二极管构成的限幅电路
下图所示是稳压二极管构成的限幅电路。电路中，A1和A2是集成电路，VZ1和VZ2是稳压二极管。
从集成电路A1的1脚输出信号通过R1加到集成电路A2的1脚。当集成电路A1的1脚输出信号幅度没有超过VZ1稳压值时，这一信号完整的加到集成电路A2的1脚上；当集成电路A1的1脚输出信号幅度超过VZ1稳压值时，幅度超过部分使VZ1导通，信号幅度的最大值被限制，
达到限幅目的。
1）R2和VZ2构成的限幅电路与R1和VZ1构成的电路工作原理一样，只是它用来限制集成电路A1的2脚输出信号幅度。
2）R1和R2的作用一样，它用来传输集成电路A1和A2之间的信号，同时也是VZ1和VZ2的限流保护电阻。
3）限幅电路只是限去电压值超过稳压二极管稳压值的部分，对于信号电压幅度小于稳压二极管稳压值的部分无限副作用。
7、稳压二极管构成的电弧抑制电路
下图所示是稳压二极管构成的电弧抑制电路，这种电路通常用于一些功率较大的电磁吸铁控制电路中。电路中，VZ1是稳压二极管，L1是电感，R1是限流保护电阻，S1是电源开关。
这一电路的工作原理是：在电源开关S1从接通转为断开时，电感L1两端产生的方向电动势为上正下负，这一反向电动势很大，通过R1加到了稳压二极管VZ1两端，使之导通，这样将反向电动势能量释放，使开关S1上不会产生很大的电动势，从而不能产生电弧，达到了消弧目的。
电源开关S1正常接通时，直流电压通过R1加到VZ1上的电压不够大，不足以使VZ1导通，所以VZ1处于截止状态，不影响电路正常工作。
标称稳定电压VZ（Nominal Zener Voltage）是稳压二极管最重要参数，也是工程师在选型时首要的参数。
稳压二极管的典型应用电路如下图所示：
它的主要作用是从较高输入电压Vi中获取的较低输出电压Vo，这里我们并没有这样描述：从较高的不稳定的输入电压Vi中获取较低的稳定输出电压Vo。稳压二极管虽然有一定的稳压功能，但这种稳压能力在精度要求较高的场合并不适用，在大多数实际应用电路中，稳压二极管更多的是为了获取一个对精度要求不高的电压值。
稳压二极管应用于场效应管驱动时的示意图：
N沟通道场效应管的栅源开启电压VGS是有最大限制值的，比如±20V，超过此值则场效应管可能会损环，通常在此类开关控制电路中，VGS值设置为 10V左右，如果电路系统中只有36V较高的电压（其它为5V之类的低压），这个电压不可以直接作为VGS电压，当然，可以采用诸如低压差线性调整芯片（LDO）从36V中降压获取此电压，但是大多数情况下，我们只需要如图所示稳压二极管即可，成本低，电路简单，而且这种应用对稳压精度要求并不高。
当输入电源电压Vi比稳压二极管的稳定电压VZ低时，稳压二极管没有击穿而处于反向截止区，此时电路回路中只有比较小的反向漏电电流IR（reverse leakage current），这种工作状态不是稳压二极管的正常工作状态，因为输出电压Vo是随输入电压Vi变化的，没有达到输出稳定电压的目的，如下图所示：
当输入电源电压Vi比稳压二极管稳定电压ZT高时，稳压二极管被反向电压击穿，此时回路电流急剧增加，如下图所示：
此时的输出电压Vo就是稳压二极管的标称稳定电压，也就是我们所需要的电压值，回路中的电流就是稳压二极管的工作电流IZ（zener current），此值由下式可得：
其中，电阻R就是稳压二极管的限流电阻。能够使稳压二极管进入稳压状态的最小电流IZ也叫膝点/拐点电流IZK（knee point current），因此，电阻R值不应该太大，那么这个电阻的最小值应该是多少才合适呢？我们继续往下看：
当输入电源电压Vi时继续增加时，稳压二极管的稳定电压VZ（也就是输出电压Vo）会有一定的变化，但没有输入电压Vi变化那么大，因为稳压二极管处于反向击穿稳压状态，此时输入电压Vi与输出电压Vo的差值都施加到电阻R两端，继而引起回路电流上升。
稳压二极管本身没有最高反向电压的参数，但是它会有一定的功耗，如下式：
也就是稳压二极管的稳定电压VZ与流过稳压二极管中的电流IZ的乘积，对于具体的稳压二极管，其稳定电压VZ是额定的，因此功耗也可以由最大的功耗也可由最大工作电流IZM（Maximum zener current）来表示，很多数据手册中也是给出这个值。
当回路电流IZ超过稳压二极管的最大工作电流IZM时（也就是超过二极管最高允许耗散功率），稳压二极管会因为过热而损坏，此时的输出电压Vo就是输入电压Vi，也就是不再有稳压能力了，如下图所示：
因此，我们在设置电阻R的最小值时，应控制稳压二极管的工作电流在IZM之内。
这种特性我们也可以从稳压二极管的伏安V-I特性曲线看出，如下图所示：
稳压二极管有一定的电阻，通常称为动态电阻RZ（zener resistance）或动态阻抗ZZ（zener impedance），它是指稳压管两端电压变化与电流变化的比值，可由下式所得：
动态电阻RZ随稳压二极管的工作电流IZ不同而不同，通常工作电IZ流越大（即分母越大），则动态电阻则RZ越小，这个值自然是越小越好。
我们可以把稳压二极管等效一个理想的电压源VZ与一个动态电阻RZ串联，如下图所示：
因此，典型应用电路也可以修改如下所示：
当回路中的电流IZ上升时，动态电阻RZ两端的压降（IZ×RZ）亦会上升，则输出电压Vo也会上升，动态电阻RZ越小则输出电压Vo变化越小，也就是说稳压能力更佳。
达林顿管（Darlingtontube）也称复合管
达林顿管（Darlingtontube）也称复合管，即使用两个三极管复合成一个三极管。一般大功率三极管的基极需要较大的电流来驱动，不能直接将小信号进行放大（小信号提供不了足够的基极驱动电流），而达林顿管内部由两个三极管组合而成，前级三极管将小电流放大后再驱动后级的三极管，这样小电流也可以驱动大功率的达林顿管，由原理也可以看出，功率部分主要是由后级的三极管来承担的。
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上图中的hFE为相应三极管的直流电流放大倍数，为了简便起见，我们将IC近似为IE，两个三极管组合成达林顿管后的三极管类型与第一级的三极管相同，组合后的总直流放大倍数为hFE1×hFE2。
前级三极管的穿透电流被后级进一步放大后，会导致达林顿管热稳定性变差，这样会更进一步使穿透电流变大，进入恶性循环，电阻R2与R3就是提供三极管穿透电流的释放回路，穿透电流通过电阻释放到外面，而不是被后级三极管进一步放大，如下图所示：
有些达林顿管内部也会有保护二极管，如下图所示：
这两个二极管一般是接感性负载时的续流二极管，防止感性负载回路断开瞬间产生的高压击穿三极管，其中二极管D1在接继电器一类负载时经常用到，如下图所示：
而二极管D2在半桥或全桥驱动的大功率感性负载时会用到
肖特基二极管
肖特基二极管：肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。
瞬态（瞬变）电压抑制二级管简称TVS器件，在规定的反向应用条件下，当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时，其工作阻抗能立即降至很低的导通值，允许大电流通过，并将电压箝制到预定水平，从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位响应时间仅为1ps（10-12S）。TVS允许的正向浪涌电流在TA＝250C，T＝10ms条件下，可达50～200A。双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压箝制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。
在高频、大电流整流以及续流电路中，大量使用了快恢复二极管（FBR）、超快恢复二极管（SRD）和肖特基二极管（SBD）。
肖特基二极管利用了肖特基，来对金属或半导体接触面上的反向电压来进行阻挡，从而让电流进行单向的传导。与传统的二极管不同，肖特基与PN结的结构相比，存在很大的差异。快速恢复二极管，顾名思义是一种能够快速恢复反向时间的半导体二极管。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管（Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
超快恢复二极管（简称fred）是一种具有开关特性好、反向恢复时间超短的半导体二极管，常用来给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器，使开关器件的功能得到充分发挥。超快恢复二极管是用电设备高频化（20khz以上）和高频设备固态化发展不可或缺的重要器件。
快恢复、超快恢复二极管的结构特点
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P 型、N 型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。
20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。
性能、参数比较
下表列出了肖特基二极管和超快恢复二极管、快速恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。
反向恢复时间
什么是反向恢复时间？当外加二极管的电压瞬间从正向转到反向时，流经器件的电流并不能相应地瞬间从正向电流转换为反向电流。此时，正向注入的少数载流子（空穴）被空间电荷区的强电场抽取，由于这些空穴的密度高于基区平衡空穴密度，因而在反向偏置瞬间，将产生一个远大于反向漏电流的反向电流，即反向恢复电流IRM。与此同时，符合过程的强化也在加速这些额外载流子密度的下降，直到基区中积累的额外载流子的完全消失，反向电流才下降并稳定到反向漏电流。整个过程所经历的时间为反向恢复时间。
反向恢复时间trr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。
区分肖特基二极管与快恢复二极管
1、结构原理不同，肖特基二极管是贵重金属和n型半导体结合成，快恢复二极管是普通pn结加了个薄基区。
2、快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，称肖特基二极管（Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
3、肖特基二极管反向击穿电压大多不高于60V，最高仅约100V，限制其使用，快恢复二极管反向峰值可以到几百到几千伏，因此像在开关电源变压器次级用100V以上的高频整流二极管等只有使用快速恢复（UFRD）。
4、肖特基正向导通压降仅0.4V左，快回复二级馆0.6伏， 总的来说，由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。