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c - 前几页写入美光 MT25Q 闪存设备失败

问题描述

我正在做一个项目，我想将一些信息写入美光科技的 MT25Q ( MT25QL512ABB1EW9-0SIT ) 闪存设备。但是，当我尝试从前几页（0-13）写入和读取时，我会返回垃圾数据。我认为闪存中可能有一个受保护区域，所以我检查了状态寄存器中相应位的值，该值对应于没有受保护的扇区。此外，受保护扇区的任何可能范围都与该值不对应。我正在使用支持闪存设备的zephyr-os 。这是我的代码：

#include "MT25Q.h"
#include <flash.h>

    struct device *dev = device_get_binding("MT25Q");
    struct flash_pages_info myflash;
    flash_get_page_info_by_idx(dev, 0, &myflash);
    char *test_line = malloc(5);
    char *buf = malloc(5);
    strcpy(test_line, "test");
    size_t page_count = flash_get_page_count(dev);
  
    flash_write_protection_set(dev, false);
    for(long i = 0; i < total_pages; i++) {
        returnval = flash_get_page_info_by_idx(dev, i, &myflash);
        flash_write(dev, myflash.start_offset, test_line, 5);
        flash_read(dev, myflash.start_offset, buf, 5);
        printk("%s\n", buf);
    }
    flash_write_protection_set(dev, true);
    free(buf);
    free(test_line);
    return 0;
}

对于循环的前 15 次迭代，我读回了一些垃圾字符串。之后它按预期工作。该设备是字节可写的。

有人可以帮我理解为什么会这样吗？我希望我发布了所有必需的信息，但以防万一：

总页数 = 256 myflash.size = 131072

标签： cembedded-linuxzephyr-rtos

解决方案

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