vlsi - NMOS漏极负电压

Question

在NMOS中，当，

            Vgs = Vth
            Vds < (Vgs - Vth = 0)
            so, Vds is -ve,

所以最初我认为在 nmos 中，如果 Vds 为 -ve，则 Id 方向反转并且电子在 n 沟道中从漏极流向源极，因此反向电流增加。

我在 LTSpice 中模拟，看到反向电流就像 -617 安培，但为什么这么高？（这里我认为发生了一些概念上的错误，那是什么？）

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