flash-memory - 原始 NAND 闪存能否在 P/E 周期完成之前生成新的 BAD 块？

Question

我了解原始 NAND 的基础知识。它支持块擦除和页面读/写。NAND 数据表提到编程/擦除 (P/E) 周期是对分别可以在 NAND 上完成的写入/擦除次数的限制。我也明白，在特定页面/块的 P/E 周期分别用尽之后，特定块变坏并且块中的数据无法更改（一旦块变坏，0 就不能恢复为 1）。

我的问题是，在特定区块的市盈率周期耗尽之前，区块会变坏吗？突然断电、电压波动等问题会导致模块变坏吗？

该问题特定于坏块的生成，而不是其他问题，例如读取干扰或 ECC 损坏。该问题也不包括工厂生成的 BAD 块。

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