时间戳

首页 > 解决方案 > stm32L476 - 擦除闪存

stm32 - stm32L476 - 擦除闪存

问题描述

L4 系列使用页（或存储区，如果您进行完全擦除）来擦除闪存。但是我在擦除页面后遇到了一些问题，我不知道为什么。

只是为了概述目标，我从 0x08080000（第 256 页）开始存储 6 个值，然后我存储从 0x08080800（第 257 页）到 0x08085800（第 267 页）的更多值

我使用一个函数来擦除/写入第 256 页的值：

void write_bias_flash(int16_t biases[]) {
    uint16_t *flash_biases = (uint16_t*) (ADDR_FLASH_PAGE_256);
    static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
    Address = ADDR_FLASH_PAGE_256;

    /* Fill EraseInit structure*/
    EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
    EraseInitStruct.Page = 0;
    EraseInitStruct.Banks = FLASH_BANK_2;
    EraseInitStruct.NbPages = 1;

    HAL_FLASH_Unlock();
    if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK) {
        serprintf("Error erasing biases at address: 0x%x", Address);
    }
    for (int8_t bias = 0; bias < 6; bias++) {
         if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD,
                Address + bias * sizeof(uint64_t), (uint64_t) biases[bias])
                != HAL_OK)
            serprintf("Error writing biases to flash.");
     }
    HAL_FLASH_Lock();
    serprintf("Biases stored in flash.");
}

这工作很棒。没有问题。

我有两个函数用于擦除/写入从 0x08080800 开始的数据（第 257 页）：

void Erase_TM_Flash() {
    uint8_t *flash = (uint8_t*) (FLASH_USER_START_ADDR);
    uint8_t *b = (uint16_t*) (ADDR_FLASH_PAGE_256);
    static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
    Address = FLASH_USER_START_ADDR;

    /* Fill EraseInit structure*/
    EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
    EraseInitStruct.Page = 1;
    EraseInitStruct.NbPages = 255;
    EraseInitStruct.Banks = FLASH_BANK_2;

    HAL_FLASH_Unlock();
    if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK) {
        serprintf("Error erasing biases at address: 0x%x", Address);
    }

    HAL_FLASH_Lock();

    for (uint16_t i = 0; i< (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t))*255; i++)
    {
        if ((uint16_t) *(flash+i) != 255) {
            serprintf("0x%x is not erased (%i)", flash+i, (uint16_t) *(flash+i));
        }

    }

}
void Save_to_Flash(uint32_t *data) {

    uint32_t src_addr = (uint32_t) data;
    Erase_TM_Flash();
    serprintf("Saving to flash...");
    HAL_StatusTypeDef HAL_STATUS;

    HAL_FLASH_Unlock();
    Address = FLASH_USER_START_ADDR;
    while (Address < (FLASH_USER_END_ADDR - (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t)))) {
        HAL_STATUS = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_FAST, Address, (uint64_t) src_addr);
        if (HAL_STATUS == HAL_OK) {
          Address = Addres+ (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t));
            src_addr = src_addr + (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t));
            } else {
                serprintf("Error writing flash at address 0x%x. (%i)", Address, HAL_STATUS);
                Address = Address + (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t));
                src_addr = src_addr + (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t));
            }
    }
    HAL_FLASH_Lock();
    serprintf("Done");
    }

擦除工作正常。我验证调试器中的值（并在代码中检查未擦除的页面）。但是当保存发生时：

Error writing flash at address 0x8080800. (1)
Error writing flash at address 0x8080900. (1)
Error writing flash at address 0x8080a00. (1)
Error writing flash at address 0x8080b00. (1)

依此类推，通过所有剩余的页面。

但是，如果我擦除整个闪存：

void Erase_Flash() {
    serprintf("Erasing flash...");
    HAL_FLASH_Unlock();
    /* Clear OPTVERR bit set on virgin samples */
    __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);

    /* Fill EraseInit structure*/
    EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_MASSERASE;
    EraseInitStruct.Banks = FLASH_BANK_2;

    if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK) {
        serprintf("Error erasing flash.");
    }
    HAL_FLASH_Lock();
    serprintf("Done.");
}

然后写作就像一个魅力。HAL_STATUS = 1，根据我找到的代码是 HAL_ERROR = 0x01U，这并不完全有帮助。

我不确定有什么区别，但我希望另一组对我的擦除的关注可能会揭示这个问题。

谢谢！

标签： stm32

解决方案

此问题似乎与闪存快速编程有关，并非所有 STM32 型号都提供此功能。

根据参考手册 (RM0351)，在使用快速编程之前，必须对闪存进行批量擦除。否则会发生编程序列错误，并且寄存器PGSERR中的位FLASH_SR将被设置。请参阅快速编程/编程错误部分中的3.3.7 闪存主存储器编程序列和位 7 PGSERR下的3.7.5 闪存状态寄存器 (FLASH_SR)。

RM0351 第 9 版，3.3.7 闪存主存储器编程序列，第 106 页：

Fast programming
(...)
1. Perform a mass erase of the bank to program. If not, PGSERR is set.
2. (...)

RM0351 第 9 版，3.3.7 闪存主存储器编程序列，第 107 页：

Programming errors
(...)
PGSERR: Programming Sequence Error
PGSERR is set if one of the following conditions occurs:
– (...)
– In the fast programming sequence: the Mass erase is not performed before setting 
  FSTPG bit.
– (...)

因此，观察到的行为符合预期。- 所以你可以替换你的Erase_TM_Flash()函数并使用Erase_Flash()首先批量擦除整个闪存库。或者，完全避免使用闪存快速编程并使用FLASH_Program_DoubleWord()orFLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, ...)代替。

相关源文件：stm32l4xx_hal_flash.h、stm32l4xx_hal_flash.c

相关文章：STM32——读写闪存

推荐阅读